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Vantagens do material de resistor enterrado

Aug 15, 2022

Resistores enterrados são usados ​​principalmente no caso em que a placa não pode ser disposta ou o sinal melhorado, e a precisão geral do controle de resistência é inferior a ± 10 por cento. Resistores enterrados têm cinco vantagens.

1. Vantagens em design de circuito de transmissão de alta densidade/alta velocidade.

Melhorar o casamento de impedância da linha.

Encurtando o caminho de transmissão do sinal e reduzindo a indutância parasita.

Eliminação da reatância indutiva gerada em processos de montagem em superfície ou cartucho.

Redução de crosstalk de sinal, ruído e interferência eletromagnética.

2. Vantagens na substituição de resistores de posicionamento.

Redução de componentes passivos e aumento da densidade de colocação de componentes ativos.

Melhoria da capacidade de fiação da placa devido à redução de orifícios de passagem.

Como o ponto de solda é reduzido, a estabilidade das peças elétricas após a montagem é melhorada.

3. O resistor enterrado após a integração tem vantagens em estabilidade.

A perda de resistores enterrados após ciclos de frio e calor é muito baixa, cerca de 50 × 10-6, enquanto a perda de outros componentes resistivos discretos é de 100 a 300 × 10-6.

Aumento na resistência em cerca de 2 por cento após o armazenamento a 110 graus por 10,000h.

Teste de estabilidade em uma ampla faixa de frequência, inferior a 20GHz.

4. O valor do resistor de várias especificações pode ser sintetizado simplesmente ajustando seu fator de forma, e pode ser perfeitamente combinado com a indutância entre linhas.

5. No projeto de componentes para resistores discretos de alta densidade, a tecnologia de resistor enterrado pode reduzir o número de camadas e o tamanho do PCB e reduzir a qualidade e o custo de fabricação da placa PCB.

Material do resistor enterrado

Atualmente, o material de resistor mais maduro é o material Ni-P, e o teor geral de P é de cerca de 10%. A resistividade do material pode ser ajustada ajustando diferentes espessuras de material Ni-P e teor de P.

N8+IN12

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